重庆某半导体行业存储芯片制作厂，晶圆制作的过程中产生含硅、氟的唯一性废渣治理 工艺，设计方案治理 数量1200吨/日。废渣治理 工艺成分表麻烦，具有納米级硅颗粒剂及盐酸，一般治理 的办法易于合格。 电镀废水组成及特征 常见水大气污染物 ：固体硅（100-500nm粒级）、氟阴阳离子（200-300mg/L）、异丙醇 来源于工艺流程 ：晶圆刻蚀化工废水处理（45%）、CMP催化机磨光化工废水处理（40%）、仪器清洗阴道水（15%） 加工处理生产工艺工作流程 改革创新通过"无机化学发展+重型膜分离处理"工艺路线地图： 钙盐沉淀物中 ：添加氯化钙除掉氟亚铁离子（转换CaF2沉淀出的） 二沉池发应 ：复合型二沉池剂进行氢氧化铁硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm外径膜挤占微细科粒 ro反渗透性和设备 ：脱盐率>98%，二手回回收利用率75% 蒸馏心得 ：浓水段实行氟化物零废气 既定疗效 氟化物浓硫酸浓度：<8mg/L（高于国特一级标淮10mg/L） 硅含磷量：<5mg/L 中国水资源性循环率：70%应用于闭式混凝土冷却塔塔补充水分 垃圾减掉：减压蒸馏渣滓量较一般加工制作工艺 减掉60%